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厂商型号

3SK264-5-TG-E 

产品描述

MOSFET NCH DUAL GATE MOS FET

内部编号

277-3SK264-5-TG-E

生产厂商

ON Semiconductor

onsemi

#1

数量:4432
1+¥4.1026
10+¥3.453
100+¥2.106
1000+¥1.6274
3000+¥1.3881
9000+¥1.2855
24000+¥1.2239
45000+¥1.1692
最小起订量:1
美国加州
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#2

数量:2880
1+¥4.1227
10+¥3.5468
100+¥2.6477
500+¥2.0797
1000+¥1.6033
最小起订量:1
美国费城
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#3

数量:2880
1+¥4.1227
10+¥3.5468
100+¥2.6477
500+¥2.0797
1000+¥1.6033
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订购说明

质量保障

原厂背书质量,全面技术支持

全场免邮
全场免运费 /报价不含任何销售税

3SK264-5-TG-E产品详细规格

规格书 3SK264-5-TG-E datasheet 规格书
晶体管类型 N-Channel Dual Gate
电压 - 额定 15V
噪声系数 2.2dB
标准包装 3,000
供应商设备封装 4-CP
电压 - 测试 6V
封装 Tape & Reel (TR)
频率 200MHz
增益 23dB
封装/外壳 SOT-143R
电流 - 测试 10mA
额定电流 30mA
Vgs - Gate-Source Voltage 8 V
Id - Continuous Drain Current 30 mA
最低工作温度 - 55 C
工厂包装数量 3000
系列 3SK264
品牌 ON Semiconductor
Pd - Power Dissipation 200 mW
安装风格 SMD/SMT
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 15 V
通道数 2 Channel
技术 Si
正向跨导 - 闵 17 mS
晶体管极性 N-Channel
配置 Dual
最高工作温度 + 125 C
RoHS RoHS Compliant

3SK264-5-TG-E系列产品

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